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APT54GA60BD30 是由Microchip Technology生產(chǎn)的IGBT，屬于IGBT PT MOS 8 Combi系列。該IGBT具有600V的集電極-發(fā)射極電壓和54A的集電極電流，采用TO-247封裝，適用于多種高電壓、高功率的應(yīng)用場景。

APT54GA60BD30 產(chǎn)品屬性

制造商: Microchip

產(chǎn)品種類: 絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

技術(shù): Si

封裝 / 箱體: TO-247-3

安裝風(fēng)格: Through Hole

配置: Single

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 600 V

集電極—射極飽和電壓: 2 V

柵極/發(fā)射極最大電壓: - 30 V, 30 V

在25 C的連續(xù)集電極電流: 96 A

Pd-功率耗散: 416 W

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

集電極最大連續(xù)電流 Ic: 96 A

柵極—射極漏泄電流: +/- 100 nA

高度: 4.69 mm

長度: 10.8 mm

工作溫度范圍: - 55 C to + 150 C

特性

? 高耐壓：集電極-發(fā)射極電壓高達(dá)600V，適用于高電壓應(yīng)用場景。

? 高電流能力：集電極電流可達(dá)54A，可滿足大電流需求。

? 高功耗承受能力：最大功耗為416W，適用于高功率應(yīng)用。

? 先進(jìn)封裝：采用TO-247封裝，提供良好的散熱性能和高功率密度。

? 寬工作溫度范圍：工作結(jié)溫范圍為-55℃至150℃，適應(yīng)性強(qiáng)。

典型應(yīng)用

? 零電壓開關(guān)移相及其他全橋電路

? 半橋電路

? 高功率功率因數(shù)校正升壓電路

? 焊接設(shè)備

? 不間斷電源、太陽能及其他逆變器

? 高頻高效率工業(yè)應(yīng)用

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