商品名稱:NCP59801CMLADJTCG
數(shù)據(jù)手冊:NCP59801CMLADJTCG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-VDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCP59801CMLADJTCG 是一款 1A LDO、新一代高 PSRR、低噪聲和低壓差穩(wěn)壓器,具有 Power Good 集電極開路輸出。NCP59801 器件專為滿足射頻和敏感模擬電路的要求而設(shè)計,具有低噪聲、高 PSRR 和低靜態(tài)電流的特性,同時還能調(diào)節(jié)低至 0.6 V 的輸出電壓。NCP59801 可與 4.7 F 輸入和輸出陶瓷電容器配合使用。
特性
工作輸入電壓范圍 1.6 V 至 5.5 V
提供固定電壓選項: 0.6 V 至 5.0 V
可調(diào)版本參考電壓:0.6 V
25°C 時 ±0.7% 初始精度
±1% 超負(fù)載和超溫精度
低靜態(tài)電流典型值 35 A
關(guān)機(jī)電流:典型值 0.1 A
超低壓降 典型值 1 A 時 120 mV(3.3 V 變體
高 PSRR:典型值 85 dB(100 mA 時),f = 1 kHz
低噪聲:10 VRMS(固定版本)
使用 4.7 F 小外殼尺寸陶瓷電容器保持穩(wěn)定
5 mV / s 以上的可控輸出電壓漂移率
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用
通信系統(tǒng)
車載網(wǎng)絡(luò)
遠(yuǎn)程信息處理、信息娛樂和集群
通用汽車
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NIS5132MN4TXGHW
NIS5132MN4TXGHW 一款高性能 N 溝道 MOSFET,以其優(yōu)異的性能和可靠性,成為工業(yè)控制、汽車電子、通信設(shè)備等領(lǐng)域的理想選擇。NTMFS4925NT1G
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NVMJST1D4N06CLTXG汽車功率MOSFET采用TCPAK57封裝,設(shè)計緊湊高效,具有高散熱性能。通過AEC-Q101認(rèn)證的MOSFET和PPAP適合要求更高電路板級可靠性的汽車應(yīng)用?;緟?shù)Vds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:198 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.49 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:…NVMFWS2D1N08XT1G
NVMFWS2D1N08XT1G是一款單N-通道功率MOSFET,具有80V的漏源電壓和181A的連續(xù)漏極電流,導(dǎo)通電阻為2.1mohm??。該器件采用SO8FL封裝,適用于需要高電流處理的電路設(shè)計。產(chǎn)品屬性晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:80 VId-連續(xù)漏極電流:181 A…電話咨詢:86-755-83294757
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