商品名稱:S29GL512T10FHI020
數(shù)據(jù)手冊:S29GL512T10FHI020.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:FBGA-64
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
S29GL512T10FHI020 是采用 45 納米工藝技術(shù)制造的 MIRRORBIT? 閃存產(chǎn)品。這些器件的快速頁面訪問時間快達 15 ns,相應(yīng)的隨機訪問時間快達 100 ns。這些器件具有寫入緩沖器,一次操作最多可對 512 字節(jié)進行編程,因此有效編程時間比標準編程算法更快。因此,這些器件非常適合當(dāng)今需要更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式應(yīng)用。
功能特點
? 45 納米 MIRRORBIT? 技術(shù)
? 用于讀取/編程/擦除的單電源(VCC)(2.7 V 至 3.6 V)
? 多功能 I/O 功能
- 寬 I/O 電壓范圍 (VIO): 1.65 V 至 VCC
? ×8/×16 數(shù)據(jù)總線
? 異步 32 字節(jié)頁面讀取
? 512 字節(jié)編程緩沖區(qū)
- 以頁面倍數(shù)編程,最大可達 512 字節(jié)
? 單字和多字編程選項
? 自動錯誤檢查和糾正 (ECC) - 具有單位錯誤糾正功能的內(nèi)部硬件 ECC
? 扇區(qū)擦除
- 統(tǒng)一的 128-KB 扇區(qū)
? 用于編程和擦除操作的暫停和恢復(fù)命令
? 狀態(tài)寄存器、數(shù)據(jù)輪詢和就緒/忙引腳方法可確定設(shè)備狀態(tài)
? 高級扇區(qū)保護 (ASP)
- 每個扇區(qū)的易失性和非易失性保護方法
? 獨立的 2048 字節(jié)一次性編程 (OTP) 陣列
- 四個可鎖定區(qū)域(SSR0-SSR3)
- SSR0 出廠時已鎖定
- SSR3 為密碼讀取保護
- 通用閃存接口 (CFI) 參數(shù)表
? 溫度范圍/等級
- 工業(yè)級(-40°C 至 +85°C)
- 汽車,AEC-Q100 3 級(-40°C 至 +85°C)
? 100,000 次編程/擦除循環(huán)
? 20 年數(shù)據(jù)保存期
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號:IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計,實現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計,包括工業(yè)驅(qū)動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。…IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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