商品名稱:S25FS512SDSBHB210
數(shù)據(jù)手冊(cè):S25FS512SDSBHB210.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-BGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
S25FS512SDSBHB210 產(chǎn)品具有高密度以及各種移動(dòng)或嵌入式應(yīng)用所需的靈活性和快速性能。對(duì)于空間、信號(hào)連接和電源有限的系統(tǒng)來(lái)說(shuō),它們是一種出色的解決方案。它們非常適合將代碼影射到 RAM、直接執(zhí)行代碼 (XIP) 和存儲(chǔ)可重新編程的數(shù)據(jù)。
特點(diǎn)
SPI 時(shí)鐘極性和相位模式 0 和 3
雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 選項(xiàng)
擴(kuò)展尋址: 24 位或 32 位地址選項(xiàng)
串行命令子集和基底面與 S25FL-A、S25FL-K、S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容
多 I/0 命令子集和基底面與 S25FL-P 和 S25FL-S SPI 系列兼容
命令: 正常、快速、雙 I/O、四/0、DDR 四 I/0
模式 突發(fā)包絡(luò)、連續(xù) (XIP)、QPI
用于配置信息的串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP) 和通用閃存接口 (CFI)
統(tǒng)一扇區(qū)選項(xiàng)
統(tǒng)一的 256-KB 塊
擦除暫停和恢復(fù)
擦除狀態(tài)評(píng)估
1024 字節(jié)的一次性編程 (OTP) 陣列
塊保護(hù)
狀態(tài)寄存器位用于控制對(duì)連續(xù)扇區(qū)的編程或擦除保護(hù)。
硬件和軟件控制選項(xiàng)
高級(jí)扇區(qū)保護(hù) (ASP)
單個(gè)扇區(qū)保護(hù)由啟動(dòng)代碼或密碼控制
讀取訪問(wèn)密碼控制選項(xiàng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA-24
3000
FLASH - NOR 存儲(chǔ)器 IC 256Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 24-BGA(8x6)
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本?!?/span>IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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