商品名稱：FF6MR12KM1HP
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
FF6MR12KM1HP.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫(kù)存數(shù)量：1000 件
FF6MR12KM1HP 62 mm 1200 V、5.5 mΩ 半橋模塊采用 CoolSiC? MOSFET 技術(shù)，采用眾所周知的 62mm 外殼，結(jié)合 M1H 芯片技術(shù)和預(yù)涂熱界面材料 (TIM)。
特征
● 高電流密度
● 開關(guān)損耗低
● 卓越的柵極氧化物可靠性
● 最高的防潮性能
● 堅(jiān)固的集成體二極管
● 抗宇宙射線能力強(qiáng)
● 高速開關(guān)模塊
● 對(duì)稱模塊設(shè)計(jì)
● 標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)技術(shù)
應(yīng)用
● 儲(chǔ)能系統(tǒng)
● 電動(dòng)汽車充電
● 光伏發(fā)電
● 不間斷電源 (UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
IKA15N60T
IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管（IGBT），屬于 TRENCHSTOP? 系列。
IPW60R120P7
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET。
IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬開關(guān) IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中，被定義為 “同類最佳 ”IGBT。
BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù)，封裝的工作溫度也隨之改善。
IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)器，具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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