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UJ3C120070K4S 是一款 1200V、70mW G3 SiC FET，采用獨特的 "級聯(lián) "電路配置。與 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常關斷 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許矽 IGBT、矽 FET、SiC MOSFET 或矽超結器件的真正 "即插即用替代品"。該器件采用 TO-247-4L 封裝，具有超低柵極電荷和超高穩(wěn)定性。器件具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，是開關器件的理想之選。

產品屬性

FET 類型：P 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：34.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 20A，12V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：46 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 100 V

功率耗散（最大值）：254.2W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應用

● EV充電

● 光伏逆變器

● 開關電源

● 功率因數校正模塊

● 電機驅動器

● 感應加熱

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