商品名稱:STM32G051C8U3
品牌:ST
年份:23+
封裝:UFQFN-48
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STM32G051C8U3 - 閃存高達(dá) 64KB 的主流 Arm Cortex-M0+ 32 位 MCU
產(chǎn)品描述
STM32G051C8U3 主流微控制器基于高性能 Arm? Cortex?-M0+ 32 位 RISC 內(nèi)核,工作頻率高達(dá) 64 MHz。這些微控制器集成度高,適用于消費(fèi)、工業(yè)和家電領(lǐng)域的各種應(yīng)用,并為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)解決方案做好了準(zhǔn)備。這些器件的工作環(huán)境溫度為 -40 至 125°C,電源電壓為 1.7 V 至 3.6 V。
產(chǎn)品特性
內(nèi)核: Arm? 32 位 Cortex?-M0+ CPU,頻率高達(dá) 64 MHz
工作溫度為 -40°C 至 85°C/105°C/125°C
高達(dá) 64 Kbytes 的閃存,帶保護(hù)和安全區(qū)域
18 千字節(jié) SRAM(16 千字節(jié),帶硬件奇偶校驗(yàn))
CRC 計(jì)算單元
電壓范圍 1.7 V 至 3.6 V
多達(dá) 44 個(gè)快速 I/O
全部可映射外部中斷向量
多個(gè) 5 V 容差 I/O
具有靈活映射的 7 通道 DMA 控制器
12 位、0.4 μs ADC(多達(dá) 16 個(gè)擴(kuò)展通道)
最高 16 位,帶硬件過采樣
兩個(gè) 12 位 DAC,低功耗采樣和保持
兩個(gè)快速低功耗模擬比較器,可編程輸入和輸出,軌至軌
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR? 1, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB(8K x 8) 閃存 20-VQFN(3x3)
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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