商品名稱:NFC/RFID標(biāo)簽IC
品牌:ST
年份:24+
封裝:UFDFN-5
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
ST25TV02KC-TFH3 - NFC 5類/RFID標(biāo)簽IC,帶2.5-Kbit的EEPROM,產(chǎn)品識(shí)別和保護(hù)
型號(hào):ST25TV02KC-TFH3
封裝:UFDFN-5
類型:NFC/RFID 標(biāo)簽和應(yīng)答器
描述:RFID 閱讀器/應(yīng)答器 IC 13.56MHz ISO 15693,NFC 5-UFDFN
產(chǎn)品概覽
ST25TV02KC-TFH3 是一款 NFC/RFID 標(biāo)簽 IC,具有增強(qiáng) NDEF 功能、篡改檢測(cè)接口和特定模式,可保護(hù)客戶隱私。增強(qiáng) NDEF 功能是一種上下文自動(dòng) NDEF 消息服務(wù),允許標(biāo)簽響應(yīng)動(dòng)態(tài)內(nèi)容,而無需終端用戶明確更新 EEPROM。
產(chǎn)品功能
非接觸式接口
- 符合 ISO/IEC 15693 標(biāo)準(zhǔn)
- 經(jīng) NFC 論壇認(rèn)證的 NFC Forum Type 5 標(biāo)簽
- 支持所有 ISO/IEC 15693 調(diào)制、編碼、副載波模式和高達(dá) 26 Kbit/s 的數(shù)據(jù)率
- 單塊讀寫、多塊讀取
- 內(nèi)部調(diào)諧電容:23 pF
內(nèi)存
- 多達(dá) 2560 位(320 字節(jié))的 EEPROM
- 可通過四個(gè)字節(jié)的塊訪問
- 射頻寫入時(shí)間:每個(gè)塊一般為 5 毫秒
- 數(shù)據(jù)保存 55°C 時(shí) 60 年
- 最低耐用性:10 萬次寫入循環(huán)
- 3 位數(shù)唯一分接代碼
- 增強(qiáng) NDEF(上下文自動(dòng) NDEF 信息)
溫度范圍 - 40 至 85 °C
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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