商品名稱:STM32G474QCT6
數(shù)據(jù)手冊:STM32G474QCT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:LQFP128
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:8000 件
STM32G474QCT6 嵌入了高速存儲器(高達(dá)512KB的閃存和128KB的SRAM)、用于靜態(tài)存儲器的靈活外部存儲器控制器(FSMC)(適用于100引腳及以上封裝的器件)、四路SPI閃存接口,以及連接到兩條APB總線、兩條AHB總線和一個32位多AHB總線矩陣的大量增強(qiáng)型I/O和外設(shè)。
產(chǎn)品屬性
核心處理器: ARM? Cortex?-M4
核心尺寸:32位
速度:170MHz
I/O數(shù)量: 107
程序存儲器大?。?56KB(256K x 8)。
程序存儲器類型: FLASH
RAM大?。?28K x 8
電壓 - 電源(Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 42x12b SAR;D/A 7x12b
工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)
功能特點(diǎn)
512KB閃存,支持ECC,兩組邊讀邊寫,專有代碼讀出保護(hù)(PCROP),可保密的內(nèi)存區(qū)域,1K字節(jié)的OTP
96KB的SRAM,在前32KB上實(shí)施硬件奇偶校驗(yàn)
例程增強(qiáng)器: 在指令和數(shù)據(jù)總線上有32KB的SRAM,帶有硬件奇偶校驗(yàn)(CCM SRAM)
用于靜態(tài)存儲器的外部存儲器接口,F(xiàn)SMC支持SRAM、
PSRAM、NOR和NAND存儲器
四路SPI存儲器接口
STM32G474QCT6基于高性能Arm? Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核。它們的工作頻率高達(dá)170 MHz。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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