商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Qorvo
年份:24+
封裝:TO-220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
UJ3C065080T3S 650 V, 80 mohm SiC FET是碳化硅(SiC)FET,基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)配置,并針對(duì)軟開關(guān)設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。UJ3C SiC FET非常適合用于升級(jí)現(xiàn)有基于硅的器件或啟動(dòng)基于SiC的新設(shè)計(jì)。
規(guī)格
技術(shù):SiC
安裝風(fēng)格:通孔
封裝 / 箱體:TO-220-3
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:31 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Qg-柵極電荷:51 nC
最小工作溫度:- 55°C
最大工作溫度:+ 175°C
Pd-功率耗散:190 W
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
商標(biāo)名:SiC FET
系列:UJ3C
配置:Single
下降時(shí)間:11 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:13 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:59 ns
典型接通延遲時(shí)間:18 ns
單位重量:2 g
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Qorvo總部位于美國(guó)北卡羅來納州,匯聚30余年的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國(guó)具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…
RFFM4227TR13
RFFM4227TR13是專為 Wi-Fi 802.11b/g/n 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的低噪聲放大器 (LNA)。QM42195SR
QM42195SR是Qorvo公司推出的一款高性能射頻前端(RF FEM)模塊,專為802.11ax 2.4GHz WiFi應(yīng)用設(shè)計(jì)。UG4SC075011K4S
UG4SC075011K4S “Combo-FET ”將 750V SiC JFET 和低壓 Si MOSFET 集成到單個(gè) TO-247-4L 封裝中。 這種創(chuàng)新方法使用戶能夠創(chuàng)建支持常開開關(guān)的電路,同時(shí)充分利用常開 SiC JFET 的優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)包括超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,以及簡(jiǎn)化 JFET 器…QM56028
QM56028 是一款由 Qorvo 公司研發(fā)生產(chǎn)的射頻功率放大器。Qorvo的放大器產(chǎn)品組合提供了射頻行業(yè)中最廣泛的器件選擇。這些放大器可以用于各種不同的應(yīng)用領(lǐng)域,如移動(dòng)設(shè)備、 無線連接、 網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防和航空航天。規(guī)格:產(chǎn)品:QM56028制造商:Qorvo產(chǎn)品種類:射頻放大器…QM56032
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QM55003 是一款混合、多頻段多芯片射頻前端(RFFE)模塊,支持NB-IoT和Cat-M1應(yīng)用。該模塊支持LB(663 MHz–915 MHz)和MB(1695 MHz–1980 MHz)。它集成了諧波抑制LPF、天線開關(guān)和輔助TX/RX路徑。QM55003頻段選擇和偏置通過移動(dòng)工業(yè)處理器接口(MIPI)進(jìn)行編程。特性:? 集成開…電話咨詢:86-755-83294757
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