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UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm 高性能SiC FET基于獨特“共源共柵”的電路配置，配置包括一個常開型SiC JFET，可與Si MOSFET共同封裝，產生常閉型SiC FET器件。該器件采用D2PAK-7L封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關感性負載以及任何需要標準柵極驅動的應用。

UF3SC065030B7S的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：11 ns, 9 ns

Id-連續(xù)漏極電流：62 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

濕度敏感性：Yes

安裝風格：SMD/SMT

通道數量：1 Channel

封裝 / 箱體：D2PAK-7

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

Pd-功率耗散：214 W

產品：SiC FETs

產品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：43 nC

Rds On-漏源導通電阻：27 mOhms

上升時間：26 ns, 28 ns

系列：UF3SC

工廠包裝數量：800

子類別：Transistors

技術：SiC

商標名：SiC FET

晶體管極性：N-Channel

類型：SiC FET

典型關閉延遲時間：46 ns

典型接通延遲時間：23 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Vgs - 柵極-源極電壓：- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：6 V

單位重量：4.675 g

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