商品名稱(chēng):BSZ060NE2LSATMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):BSZ060NE2LSATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:4000 件
集成電路芯片BSZ060NE2LSATMA1 8-PowerTDFN N溝道MOSFET晶體管
產(chǎn)品介紹
BSZ060NE2LSATMA1是OptiMOS? 25V MOSFET晶體管,具有半橋配置(功率級(jí)5x6)。
規(guī)格
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個(gè)通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:25 V
Id - 連續(xù)漏極電流:40 A
Rds On - 漏極-源極電阻:6.5 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:2 V
Qg - 柵極電荷: 9.1 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率耗散:26 W
通道模式: 增強(qiáng)型
特點(diǎn)
極低的柵極和輸出電荷
極低的導(dǎo)通電阻和小的封裝尺寸
在所有的負(fù)載條件下,降低了功耗,提高了效率
通過(guò)減少多相轉(zhuǎn)換中的相數(shù)來(lái)節(jié)省整體系統(tǒng)成本
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
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IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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