商品名稱:BSC100N06LS3GATMA1
數(shù)據(jù)手冊:BSC100N06LS3GATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4000 件
N通道BSC100N06LS3GATMA1功率晶體管8-PowerTDFN集成電路芯片
產(chǎn)品介紹
BSC100N06LS3GATMA1是60V OptiMOS 3功率晶體管,可用于廣泛的工業(yè)應(yīng)用,如電機(jī)控制、太陽能微逆變器和快速開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:60 V
Id - 連續(xù)漏極電流:50 A
Rds On - 漏極-源極電阻:10 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:1.2 V
Qg - 柵極電荷: 34 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率耗散: 50 W
通道模式: 增強(qiáng)型
配置: 單一
下降時間:8 ns
正向電導(dǎo)率 - 最?。?span style="font-size: 16px; white-space: pre;"> 32 S
高度:1.27毫米
長度:5.9毫米
上升時間:58 ns
特點(diǎn)
提高了功率密度
高系統(tǒng)效率
非常低的通態(tài)電阻R DS(on)
非常低的電壓過沖
是快速開關(guān)應(yīng)用的理想選擇
卓越的柵極電荷x R DS(on)產(chǎn)品(FOM)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
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IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 TRENCHSTOP? 系列。IPW60R120P7
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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