商品名稱:NTMFS6H818NLT1G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NTMFS0D9N03CGT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:DFN-5
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:7500 件
NTMFS0D9N03CGT1G 功率 MOSFET,30V,N 溝道,0.9mΩ,298A,SO8FL 5x6mm
特點(diǎn)
? 先進(jìn)的封裝(5x6毫米),具有良好的熱傳導(dǎo)性
? 超低RDS(on),提高系統(tǒng)效率
? 這些器件不含鉛、不含鹵素/溴化阻燃劑,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
? 熱插拔應(yīng)用
? 電源負(fù)載開(kāi)關(guān)
? 電池管理和保護(hù)
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類:MOSFET
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SO-8FL-4
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
Id-連續(xù)漏極電流:298 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:900 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.2 V
Qg-柵極電荷:131.4 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:144 W
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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NCP57302DSADJR4G
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NCP45770IMN24TWG負(fù)載管理器件提供了一個(gè)精簡(jiǎn)組件和面積的解決方案,可通過(guò)軟啟動(dòng)的涌入電流限值實(shí)現(xiàn)高效的功率域切換。NVH4L032N065M3S
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