商品名稱:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TSON-6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IGC090S20S1 是一款 200 V 常閉增強型功率晶體管,采用小型 PQFN 3x5 封裝,可實現(xiàn)高功率密度設計。由于其極低的導通電阻,它是在要求苛刻的高電壓和大電流應用中實現(xiàn)可靠性能的理想選擇。
特征:
? 增強模式功率晶體管 - 常閉開關
? 無反向恢復費用
? 反向導通能力
? 低柵極電荷、低輸出電荷
? 符合 JEDEC 標準,適用于目標應用
應用:
? 電信 AC/DC 同步整流器
? 電信 DC/DC 同步整流器
? 機器人
? 電池供電工具
? 電動汽車、無人機
? 無線充電
? D 類音頻
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IKA15N60T
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IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結 (SJ) MOSFET。IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬開關 IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中,被定義為 “同類最佳 ”IGBT。BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進的技術,封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器,具有獨立的高壓側和低壓側參考輸出通道。電話咨詢:86-755-83294757
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