IMZC120R053M2H CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V、53 mΩ G2 采用 TO-247 4 引腳,采用高爬電距離封裝,以第一代技術的優(yōu)勢為基礎,并進行了重大改進,為成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、易于設計和更可靠的系統(tǒng)提供了先進的解決方案。它增強了 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級的所有常見組合的硬開關操作和軟開關拓撲的更好性能。
IMZC120R053M2H 的特征:
? Tvj = 25°C 時 VDSS = 1200 V
? TC = 100°C 時 IDDC = 27 A
? VGS = 18 V,Tvj = 25°C 時,RDS(on) = 53 mΩ
? 極低的開關損耗
? 過載運行高達 Tvj = 200°C
? 短路耐受時間 2 μs
? 基準柵極閾值電壓,VGS(th) = 4.2 V
? 對寄生導通具有魯棒性,可施加 0 V 關斷柵極電壓
? 用于硬換向的堅固體二極管
? .XT 互連技術,實現一流的熱性能
應用:
? 通用驅動器 (GPD)
? 電動汽車充電
? 在線式 UPS/工業(yè)級 UPS
? 太陽能優(yōu)化器
? 組串式逆變器
? 儲能系統(tǒng) (ESS)
? 焊接
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/116 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 19 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/78 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 30 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/61 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 40 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/44 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 60 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/34 A ?Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 80 m?
INFINEON
PG-HDSOP-22
2000
汽車用CoolSiC? MOSFET 1200 V/24 A Q-DPAK封裝 (HDSOP-22-3), 117 m?
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現代社會的三大科技挑…
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IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 TRENCHSTOP? 系列。IPW60R120P7
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結 (SJ) MOSFET。IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬開關 IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中,被定義為 “同類最佳 ”IGBT。BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進的技術,封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器,具有獨立的高壓側和低壓側參考輸出通道。電話咨詢:86-755-83294757
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