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商品名稱(chēng):STM32F765NIH6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32F765NIH6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:TFBGA216
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2880 件
STM32F765NIH6基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)216 MHz。Cortex?-M7內(nèi)核具有一個(gè)浮點(diǎn)單元(FPU),支持Arm?雙精度和單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類(lèi)型。它還實(shí)現(xiàn)了一整套DSP指令和一個(gè)內(nèi)存保護(hù)單元(MPU),增強(qiáng)了應(yīng)用的安全性。
STM32F765NIH6集成了高速嵌入式存儲(chǔ)器,具有高達(dá)200萬(wàn)字節(jié)的閃存、512KB的SRAM(包括用于關(guān)鍵實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的128KB數(shù)據(jù)TCM RAM)、16KB指令TCM RAM(用于關(guān)鍵實(shí)時(shí)程序)。4KB的備份SRAM可用于最低功率模式,以及廣泛的增強(qiáng)型I/O和外設(shè),連接到兩個(gè)APB總線、兩個(gè)AHB總線、一個(gè)32位多AHB總線矩陣和一個(gè)支持內(nèi)部和外部存儲(chǔ)器訪問(wèn)的多層AXI互連。
特征
多達(dá)四個(gè)I2C
六個(gè)SPI,三個(gè)半雙工模式的I2S
為了達(dá)到音頻級(jí)精度,I2S外設(shè)可以通過(guò)專(zhuān)用的內(nèi)部音頻PLL或通過(guò)外部時(shí)鐘來(lái)實(shí)現(xiàn)同步的時(shí)鐘化
四個(gè)USARTs加四個(gè)UARTs
一個(gè)USB OTG全速和一個(gè)具有全速能力的USB OTG高速(使用ULPI)。
三個(gè)CANs
兩個(gè)SAI串行音頻接口
兩個(gè)SDMMC主機(jī)接口
以太網(wǎng)和攝像頭接口
LCD-TFT顯示控制器
Chrom-ART加速器
SPDIFRX接口
HDMI-CEC
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢(xún)價(jià),也可以通過(guò)電話(huà)以及郵箱咨詢(xún)。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車(chē)規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專(zhuān)有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無(wú)尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專(zhuān)有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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