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A2T27S020GNR1是2.5 WLDMOS射頻功率晶體管專為頻率范圍為400至2700MHz之間的移動通信基站應用而設計。

特性

增大負柵源電壓范圍，改善C類放大器運行

專為數字預失真糾錯系統(tǒng)而設計

通用寬帶驅動器

符合RoHS規(guī)范

A2T27S020GNR1產品屬性

制造商:NXP

產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管

晶體管極性: N-Channel

技術: Si

Vds-漏源極擊穿電壓: 65 V

工作頻率: 400 MHz to 2.7 GHz

增益: 21.1 dB

輸出功率: 2.5 W

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

安裝風格: Screw Mount

封裝 / 箱體: TO-270G-2

通道數量: 1 Channel

產品類型: RF MOSFET Transistors

系列: A2T27S020

工廠包裝數量: 500

子類別: MOSFETs

晶體管類型: LDMOS FET

類型: RF Power MOSFET

Vgs - 柵極-源極電壓: + 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

單位重量:548 mg

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