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商品名稱(chēng):N 溝道 MOSFET
品牌:ST
年份:25+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
STW48N60M6 是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET,屬于 MDmesh? M6 系列。新的 MDmesh? M6 技術(shù)將最新的先進(jìn)技術(shù)融入了著名的 SJ MOSFET MDmesh 系列。意法半導(dǎo)體在上一代 MDmesh 器件的基礎(chǔ)上推出了全新的 M6 技術(shù),該技術(shù)將出色的單位面積 RDS(on)改進(jìn)與目前最有效的開(kāi)關(guān)行為之一相結(jié)合,并提供了用戶(hù)友好的體驗(yàn),從而實(shí)現(xiàn)了最高的終端應(yīng)用效率。
特性
降低開(kāi)關(guān)損耗
單位面積 RDS(on) 比上一代產(chǎn)品更低
柵極輸入電阻低
100% 經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試
齊納保護(hù)
產(chǎn)品屬性
型號(hào):STW48N60M6
系列:MDmesh? M6
包裝:管件
零件狀態(tài):在售
FET 類(lèi)型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :39A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 69毫歐 @ 19.5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 57 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 2578 pF @ 100 V
功率耗散(最大值): 250W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型: 通孔
應(yīng)用
開(kāi)關(guān)應(yīng)用
LLC 轉(zhuǎn)換器
升壓 PFC 轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車(chē)級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
SRK2001ATR
SRK2001ATR控制器專(zhuān)為L(zhǎng)LC諧振轉(zhuǎn)換器中的次級(jí)側(cè)同步整流設(shè)計(jì),適用于采用帶中心抽頭次級(jí)繞組變壓器實(shí)現(xiàn)全波整流的系統(tǒng)。STF11N65M2
STF11N65M2器件采用MDmesh M2技術(shù)開(kāi)發(fā)的N溝道功率MOSFET。STM8S001J3M3TR
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