F6921AVRI是一款超低功耗、雙通道、低噪聲放大器 (LNA) RFIC,專為 Ku 波段衛(wèi)星通信平面相控陣天線而設計。低功耗、低噪聲、高增益和緊湊尺寸的完美結合,最大限度地提高了天線陣列的 G/T,同時最大限度地降低了整體系統(tǒng)功耗。外部偏置電流提供增益控制、待機模式和溫度補償。
F6921AVRI具有以下技術參數(shù):
頻率:10.7GHz ~ 12.75GHz
P1dB:-5dBm
增益:19dB
噪聲系數(shù):-
射頻類型:SATCOM
電壓 - 供電:0.95V ~ 1.05V
電流 - 供電:-
測試頻率:-
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:23-VFBGA
供應商器件封裝:23-FCCSP(2.7x2.7)
此外,F(xiàn)6921AVRI包括兩個獨立的增益/相位匹配的 LNA 通道,采用緊湊的 23 引腳、0.5mm 間距 BGA 封裝。所有輸入和輸出均為單端和 50Ω 匹配,便于集成到相控陣天線面板上。
目標應用
電子控制相控陣天線(ESA)
航空航天、海事和移動衛(wèi)星通信(SOTM)
Ku 波段衛(wèi)星通信終端
通信、電子戰(zhàn) (EW) 和雷達系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
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TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>電話咨詢:86-755-83294757
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