商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-16
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件

IMSQ120R040M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,40 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計,包括工業(yè)驅動器、電動汽車充電解決方案、太陽能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過實現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比,頂部散熱器件可實現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局,從而減少寄生元件和雜散電感的影響,同時提供增強的熱管理能力。
頂部散熱Q-DPAK雙半橋封裝正引領散熱、能效、設計靈活性和性能的新時代。
IMSQ120R040M2HH 特性
VDSS = 1200 V(Tvj = 25°C)
IDDC = 40 A(TC = 100°C)
RDS(on) = 40 mΩ,VGS = 18 V,Tvj = 25°C
極低的開關損耗
過載運行溫度可達 Tvj = 200°C
短路耐受時間 2 μs
基準柵極閾值電壓 4.2 V
對寄生導通具有抗擾性
適用于硬切換的堅固體二極管
.XT 互聯(lián)技術
IMSQ120R040M2HH 的優(yōu)勢
更高的功率密度
支持自動化裝配
簡化設計復雜度
與BSC相比具有卓越的熱性能
降低系統(tǒng)功率損耗
支持PD 2下的950 V VRMS
降低總擁有成本(TCO)或物料清單成本(BOM)
IMSQ120R040M2HH的應用領域
電動汽車充電
通用電機驅動
伺服電機驅動與控制
光伏應用
在線不間斷電源(UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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