深圳市明佳達電子有限公司 供應(yīng) Qorvo 射頻晶體管：砷化鎵 pHEMT、氮化鎵 HEMT、碳化硅 FET、碳化硅 JFET深圳市明佳達電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件供應(yīng)商。專營高端器件，射頻器件，5G器件，新能源IC，高端連接器，以及一些冷門、偏門、缺貨的各類電子元器件。我們…
深圳市明佳達電子有限公司 供應(yīng) Qorvo 射頻晶體管：砷化鎵 pHEMT、氮化鎵 HEMT、碳化硅 FET、碳化硅 JFET
深圳市明佳達電子有限公司是一家專業(yè)的電子元器件供應(yīng)商。專營高端器件，射頻器件，5G器件，新能源IC，高端連接器，以及一些冷門、偏門、缺貨的各類電子元器件。我們與全球知名的電子元器件制造商建立了緊密的合作關(guān)系，確保所供應(yīng)的元器件均來自正規(guī)渠道，品質(zhì)可靠。
砷化鎵 pHEMT
Qorvo 采用最先進的超低噪聲 0.15 μm pHEMT 和 0.25 μm E-pHEMT 工藝，提供各種分立晶體管元件。這些分立器件允許客戶在設(shè)計低噪聲放大器 (LNA) 電路時進行全面控制。各種分立 FET 的 NF（最小值）低至 0.15 dB，頻率高達 22 GHz。還提供配對晶體管，是平衡 LNA 設(shè)計的理想之選。
GaN HEMT
Qorvo 提供廣泛的氮化鎵（GaN）分立晶體管產(chǎn)品組合，具有不同的額定功率、電壓和頻率水平，既有裸片級解決方案，也有封裝解決方案。我們的產(chǎn)品不僅具有氮化鎵的高性能，而且采用了方便的行業(yè)標準封裝，從而加快了設(shè)計和制造速度，所有這些都有我們業(yè)界領(lǐng)先的可靠性作為后盾。
SiC FET
Qorvo 的高性能碳化硅 (SiC) FET 具有同類最佳的開關(guān)速度、更低的開關(guān)損耗、更高的效率、標準通孔（包括開爾文封裝）和表面貼裝封裝，而且成本效益極佳。這些 FET 基于獨特的級聯(lián)配置，其中高性能 SiC 快速 JFET 與級聯(lián)優(yōu)化的 Si-MOSFET 共同封裝，實現(xiàn)了標準柵極驅(qū)動 SiC 器件的運行。這些器件大多通過了 AEC-Q101 認證。
SiC JFET
這些 SiC JFET 具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))，起始值僅為 4 mΩ，而低柵極電荷 (QG) 則進一步降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
![明佳達電子——供應(yīng) [TI] 音頻編解碼器、音頻運算放大器、音頻 USB 轉(zhuǎn)換器](/upload/202501/15/202501151654447500.jpg)
