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ST STW35N60DM2 開關應用 600 V/28 A MDmesh DM2 功率MOSFET

ST STW35N60DM2 開關應用 600 V/28 A MDmesh DM2 功率MOSFET

來源:本站時間:2025-01-03瀏覽數(shù):

STW35N60DM2 是一款N通道 600V、0.094 Ohm、28 A MDmesh DM2 功率MOSFET,非常適合開關應用。概述:這款高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 MDmesh? DM2 快速恢復二極管系列的一部分。它具有非常低的恢復電荷 (Qrr) 和時間 (trr) 以及低 RDS(on),使其適用于最苛刻的高效率…

STW35N60DM2 是一款N通道 600V、0.094 Ohm、28 A MDmesh DM2 功率MOSFET,非常適合開關應用。


概述:

這款高壓 N 溝道功率 MOSFET 是 MDmesh? DM2 快速恢復二極管系列的一部分。它具有非常低的恢復電荷 (Qrr) 和時間 (trr) 以及低 RDS(on),使其適用于最苛刻的高效率轉換器,是橋式拓撲和 ZVS 相移轉換器的理想選擇。


特性:

快速恢復體二極管

極低的柵極電荷和輸入電容

低導通電阻

100% 雪崩測試

極高的 dv/dt 耐用性

齊納保護

STW35N60DM2.jpg

STW35N60DM2 的規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):28A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):110 毫歐 @ 14A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):54 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2400 pF @ 100 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):210W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-247-3

封裝/外殼:TO-247-3


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