最新資訊MPQ6631HGLTE是一款集成功率MOSFET的三相直流無(wú)刷電機(jī) （BLDC）驅(qū)動(dòng)器，支持3.6V至35V寬電壓輸入，峰值相電流可達(dá)3A。以下是其核心特性：3.6V 至 35V 工作輸入電壓 (VIN) 范圍高達(dá) 3A的峰值相電流集成 160mΩ 上管 MOSFET (HS-FET) 和下管 MOSFET (LS-FET)正弦驅(qū)動(dòng)支持 0…
MPQ6631HGLTE是一款集成功率MOSFET的三相直流無(wú)刷電機(jī) （BLDC）驅(qū)動(dòng)器，支持3.6V至35V寬電壓輸入，峰值相電流可達(dá)3A。以下是其核心特性：
3.6V 至 35V 工作輸入電壓 (VIN) 范圍
高達(dá) 3A的峰值相電流
集成 160mΩ 上管 MOSFET (HS-FET) 和下管 MOSFET (LS-FET)
正弦驅(qū)動(dòng)
支持 0V 至 1.2V 直流輸入或 1kHz 至 100kHz 脈寬調(diào)制 (PWM) 輸入
支持三霍爾或單霍爾輸入
閉環(huán)/開(kāi)環(huán)速度控制
方向/制動(dòng)輸入
節(jié)能模式
0.5s/4.5s堵轉(zhuǎn)保護(hù)
過(guò)流保護(hù) (OCP)
每電周期單脈沖或三脈沖 FG 輸出
FG信號(hào)：轉(zhuǎn)速指示
軟啟動(dòng) (SS) 以實(shí)現(xiàn)低噪聲與電流過(guò)沖
采用側(cè)面鍍錫的 TQFN-26 (3mmx4mm) 封裝
符合AEC-Q100 等級(jí)1認(rèn)證
詳情
MPQ6631HGLTE是一款具有集成功率 MOSFET 的三相無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。MPQ6631HGLTE可通過(guò)一個(gè)或三個(gè)外部霍爾傳感器驅(qū)動(dòng)三相 BLDC 電機(jī)。在 3.6V 至 35V 輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)，其峰值相電流高達(dá) 3A。
MPQ6631HGLTE通過(guò)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號(hào)或 PWM/DC 引腳上的 DC 信號(hào)進(jìn)行閉環(huán)/開(kāi)環(huán)控制，從而控制電機(jī)速度。它具有內(nèi)置可調(diào)速度曲線功能，另外還通過(guò)一個(gè)正弦驅(qū)動(dòng)器來(lái)實(shí)現(xiàn)最大扭矩以及全速范圍內(nèi)的低速紋波和低噪聲。
MPQ6631HGLTE具有轉(zhuǎn)速檢測(cè)功能。轉(zhuǎn)速檢測(cè)器（FG/RD 引腳）提供開(kāi)漏輸出，輸出高于或低于霍爾傳感器比較器輸出的電壓。MPQ6631HGLTE還通過(guò) DIR 引腳輸入實(shí)現(xiàn)方向的控制。
MPQ6631HGLTE提供豐富的保護(hù)功能，包括輸入過(guò)壓保護(hù) (OVP)、欠壓鎖定 (UVLO)保護(hù)、堵轉(zhuǎn)保護(hù)、過(guò)流保護(hù) (OCP) 和過(guò)溫關(guān)斷保護(hù)。
MPQ6631HGLTE采用側(cè)面鍍錫的 TQFN-26 (3mmx4mm) 封裝。它符合 AEC-Q100 等級(jí)1認(rèn)證。
典型應(yīng)用
MPQ6631HGLTE適用于需要高精度速度控制和低噪聲的工業(yè)設(shè)備，如無(wú)人機(jī)、機(jī)器人等對(duì)性能要求較高的場(chǎng)景。
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![[TI] INA193AIDBVR 500kHz 電流檢測(cè)放大器——電壓輸出分流監(jiān)測(cè)計(jì)](/upload/202508/25/202508251455390711.jpg)
時(shí)間：2025-08-25
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