深圳市明佳達電子有限公司供應(yīng)英飛凌功率MOSFET BSZ440N10NS3G OptiMOS?3 功率晶體管，100V，低至44mΩ Rds(on)，18A，賦能高效電源轉(zhuǎn)換。BSZ440N10NS3G 產(chǎn)品描述英飛凌（Infineon）BSZ440N10NS3G 是一款采用 OptiMOS? 3 技術(shù)的N溝道功率MOSFET，以其低導通電阻、快速開…
深圳市明佳達電子有限公司供應(yīng)英飛凌功率MOSFET BSZ440N10NS3G OptiMOS?3 功率晶體管，100V，低至44mΩ Rds(on)，18A，賦能高效電源轉(zhuǎn)換。
BSZ440N10NS3G 產(chǎn)品描述
英飛凌（Infineon）BSZ440N10NS3G 是一款采用 OptiMOS? 3 技術(shù)的N溝道功率MOSFET，以其低導通電阻、快速開關(guān)能力和高可靠性著稱，非常適合要求高效率的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
BSZ440N10NS3G 產(chǎn)品特性
低導通電阻：在 10V 的柵源電壓下，漏源導通電阻僅為 44mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。
高電流能力：連續(xù)漏極電流（Id）在 25°C 時可達 5.3A，能夠滿足高功率應(yīng)用的需求。
快速開關(guān)：具備快速的開關(guān)速度，有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率，減少開關(guān)損耗。
高可靠性：采用先進的制造工藝和封裝技術(shù)，確保器件在各種工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
多種保護功能：內(nèi)置多種保護功能，如過熱保護和過流保護，增強了系統(tǒng)的安全性和可靠性。
BSZ440N10NS3G 規(guī)格參數(shù)
封裝形式：PG-TSDSON-8
漏源電壓（Vds）：100V
柵源極閾值電壓（Vgs(th)）：2.7V @ 12uA
漏源導通電阻（Rds(on)）：44mΩ @ 12A, 10V
最大功率耗散（Pd）：29W（Tc=25°C）
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C（TJ）
應(yīng)用場景
BSZ440N10NS3G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
AC-DC SMPS 的同步整流：提高電源轉(zhuǎn)換效率，降低能耗。
DC-DC 轉(zhuǎn)換器：用于高效率的直流電源轉(zhuǎn)換，適用于服務(wù)器、通信設(shè)備等。
電機驅(qū)動：在電機控制應(yīng)用中，提供高效的功率控制。
汽車電子：適用于汽車電子控制系統(tǒng)，如電動汽車的電池管理系統(tǒng)。
工業(yè)自動化：在工業(yè)控制系統(tǒng)中，用于實現(xiàn)快速的邏輯控制和數(shù)據(jù)處理。
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