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德州儀器的面內(nèi)霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)可以取代現(xiàn)有成本更高、更難制造的位置傳感器

德州儀器的 TMAG5134 面內(nèi)霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)帶有集成磁集中器，可以在門(mén)窗傳感器、個(gè)人電子產(chǎn)品和電器等應(yīng)用中檢測(cè)低至 1mT 的磁場(chǎng)。

前沿動(dòng)態(tài)

德州儀器 (TI) 推出了一款業(yè)界領(lǐng)先、具備高靈敏度的面內(nèi)霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)，專(zhuān)為位置傳感應(yīng)用設(shè)計(jì)，為工程師提供了一種經(jīng)濟(jì)高效、用戶(hù)友好的磁阻傳感器替代品。TI 的 TMAG5134 霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)帶有集成磁集中器，可以在門(mén)窗傳感器、個(gè)人電子產(chǎn)品和電器等應(yīng)用中檢測(cè)低至 1mT 的磁場(chǎng)。憑借其卓越的靈敏度，可以使用更小的磁體，進(jìn)一步降低系統(tǒng)級(jí)成本。此外，TMAG5134 的面內(nèi)傳感能力使其能夠檢測(cè)與印刷電路板平行或水平的磁場(chǎng)，為工程師提供更大設(shè)計(jì)靈活性。

關(guān)鍵所在

如今，在追求高靈敏度的低功耗、緊湊型位置傳感設(shè)計(jì)中，工程師仍依賴(lài)于簧片開(kāi)關(guān)或隧道磁阻 (TMR)、各向異性磁阻 (AMR) 或巨磁阻 (GMR) 傳感器。然而，這些技術(shù)通常成本較高，且制造過(guò)程復(fù)雜，因?yàn)樗鼈冃枰獙?zhuān)門(mén)的材料和制造技術(shù)。相比之下，霍爾效應(yīng)技術(shù)無(wú)需特殊制造工藝，則能助力工程師大幅降低設(shè)計(jì)成本，并加快產(chǎn)品上市速度。

一直以來(lái)，由于霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)的靈敏度有限，設(shè)計(jì)人員沒(méi)有考慮將其作為 TMR、AMR、GMR 或簧片開(kāi)關(guān)的可行替代品。TI 的 TMAG5134 的推出標(biāo)志著位置傳感市場(chǎng)的一次重要變革：工程師能夠在不增加磁阻傳感器的額外成本和復(fù)雜性的前提下，實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)霍爾效應(yīng)傳感器更高的靈敏度。

“我們?cè)谌粘Ｉ钪薪佑|的電子產(chǎn)品，從筆記本電腦到智能家居系統(tǒng)，都依靠傳感器根據(jù)周?chē)h(huán)境進(jìn)行感知并做出決策?！盩I 傳感產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理 Jason Cole 如是說(shuō)，“幾十年來(lái)，TI 的傳感產(chǎn)品組合助力工程師能夠在設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高的精度、能效和可靠性。TMAG5134 霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)以這些年的創(chuàng)新為基礎(chǔ)構(gòu)建而成，提供了一種簡(jiǎn)化、經(jīng)濟(jì)高效的解決方案，為各行各業(yè)的設(shè)計(jì)工程師創(chuàng)造了新的可能性。”

有關(guān)更多信息，請(qǐng)閱讀技術(shù)文章， “霍爾效應(yīng)：面內(nèi)開(kāi)關(guān)如何提高靈敏度并且降低設(shè)計(jì)成本?！?/span>

更多詳情

TMAG5134 霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)平均僅消耗 0.6μA，有助于延長(zhǎng)傳感應(yīng)用中的電池壽命。其集成的磁集中器技術(shù)能放大傳感器信號(hào)，無(wú)需用大電流偏置器件。

TI 的磁傳感產(chǎn)品組合為工程師提供了各種開(kāi)關(guān)、鎖存器以及單軸和多軸線性和角度傳感器，以滿足他們的設(shè)計(jì)需求。憑借 TMAG5134 霍爾效應(yīng)開(kāi)關(guān)等器件和全面的開(kāi)發(fā)資源，該產(chǎn)品組合旨在簡(jiǎn)化高性能傳感技術(shù)的設(shè)計(jì)，使其更容易實(shí)現(xiàn)。

供貨情況

TMAG5134 由 TI 自有 12 英寸晶圓廠制造，現(xiàn)已量產(chǎn)并可通過(guò) TI.com 進(jìn)行采購(gòu)。工程師可以利用 TI 的全面支持資源加速開(kāi)發(fā)，包括評(píng)估模塊和免費(fèi)的 TI 磁感模擬器 (TIMSS) 工具。借助此工具，設(shè)計(jì)人員可基于設(shè)計(jì)中的特定傳感器磁體配置快速模擬磁場(chǎng)行為和傳感器輸出。

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