明佳達(dá)電子：現(xiàn)貨供應(yīng)三星 K4B4G1646E-BYMA 4Gb DDR3L DRAM芯片在當(dāng)今數(shù)字化時代，高性能、低功耗的存儲解決方案對于各種電子設(shè)備至關(guān)重要。三星作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，其推出的 K4B4G1646E-BYMA 4Gb DDR3L DRAM芯片憑借其卓越的性能和可靠的品質(zhì)，廣泛應(yīng)用于個人電…
明佳達(dá)電子：現(xiàn)貨供應(yīng)三星 K4B4G1646E-BYMA 4Gb DDR3L DRAM芯片
在當(dāng)今數(shù)字化時代，高性能、低功耗的存儲解決方案對于各種電子設(shè)備至關(guān)重要。三星作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商，其推出的 K4B4G1646E-BYMA 4Gb DDR3L DRAM芯片憑借其卓越的性能和可靠的品質(zhì)，廣泛應(yīng)用于個人電腦、服務(wù)器、移動設(shè)備以及其他消費類電子產(chǎn)品中。深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為專業(yè)的電子元器件供應(yīng)商，現(xiàn)貨供應(yīng)這款高性能的三星 K4B4G1646E-BYMA DRAM芯片。
產(chǎn)品描述
三星 K4B4G1646E-BYMA 是一款4Gb容量的DDR3L SDRAM芯片，采用先進(jìn)的制造工藝，具備高性能、低功耗的特點，能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對存儲芯片的嚴(yán)格要求。
規(guī)格參數(shù)
存儲類型：動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）
存儲容量：4Gb（512MB x 8）
封裝類型：FBGA-96
數(shù)據(jù)寬度：16位
運行速度：1866 Mbps
工作電壓：1.35V
工作溫度：0°C 至 85°C
組織結(jié)構(gòu)：256M x 16
其他特性：支持DDR3L-1866速度分級，可編程CAS延遲選項，8位預(yù)取，突發(fā)長度為8或4，通過ODT引腳實現(xiàn)片上終止。
產(chǎn)品特點
高性能：支持高達(dá)1866 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，能夠滿足多種高性能應(yīng)用需求。
低功耗：采用1.35V的工作電壓，有效降低了功耗并提高了能效。
高可靠性：經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測試，確保在各種工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
高速緩存能力：優(yōu)化了數(shù)據(jù)的訪問速度，適用于要求高速緩存和快速多任務(wù)處理的場景。
應(yīng)用領(lǐng)域
個人電腦：用于臺式機和筆記本電腦的內(nèi)存條模塊。
服務(wù)器：作為服務(wù)器和存儲設(shè)備中的高速緩存解決方案。
移動設(shè)備：適用于智能手機和平板電腦等移動設(shè)備。
嵌入式系統(tǒng)：用于工業(yè)控制設(shè)備、通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等。
其他領(lǐng)域：如汽車電子、醫(yī)療設(shè)備、視頻監(jiān)控等對實時性和大數(shù)據(jù)吞吐有嚴(yán)格要求的行業(yè)。
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