全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密…
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。
與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的漏-源額定電壓為650V，而ROHM新產(chǎn)品則達到750V。因此，即使考慮到浪涌電壓等因素仍可抑制柵極電阻，從而有助于降低開關(guān)損耗。
產(chǎn)品陣容中包括13mΩ至65mΩ導(dǎo)通電阻的共6款機型的產(chǎn)品，并已于2025年9月開始量產(chǎn)（樣品價格：5,500日元/個，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開始電商銷售，從Ameya360和Sekorm等電商平臺均可購買。另外，ROHM官網(wǎng)還提供6款新產(chǎn)品的仿真模型，助力客戶快速推進電路設(shè)計。
＜開發(fā)背景＞
在AI服務(wù)器和小型光伏逆變器等應(yīng)用中，功率呈日益提高的趨勢，同時，與之相矛盾的小型化需求也與日俱增，這就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特別是被稱為“卡片式”的超薄電源，其圖騰柱PFC電路需要滿足厚度4mm以下的嚴(yán)苛要求。為滿足這些市場需求，ROHM開發(fā)出厚度僅為2.3mm、遠低于以往封裝產(chǎn)品4.5mm的TOLL封裝SiC MOSFET。
＜產(chǎn)品陣容＞
＜應(yīng)用示例＞
?工業(yè)設(shè)備：AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等電源、光伏逆變器、ESS（儲能系統(tǒng)）
?消費電子：一般電源
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