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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

C3M0060065J

產(chǎn)品說明：650V 60mΩ 36A 第 3 代分立式碳化硅 MOSFET

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D10065A

產(chǎn)品說明：650 V, 10 A, TO-220-2 封裝, 第6代分立碳化硅肖特基二極管

封裝：TO-220-2
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D10065G

產(chǎn)品說明：650 V, 10 A, TO-263-2 封裝, 第6代分立碳化硅肖特基二極管

封裝：TO-263-2
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D30065D

產(chǎn)品說明：650 V, 30 A, TO-247-3 封裝, 第6代分立碳化硅肖特基二極管

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0032120J1

產(chǎn)品說明：1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管，TO-263-7

封裝：TO-263-7
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0032120D

產(chǎn)品說明：1200V 32mΩ 63A 第 3 代分立式碳化硅 MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D30065H

產(chǎn)品說明：650 V, 30 A, TO-247-2 封裝, 第6代分立碳化硅肖特基二極管

封裝：TO-247-2
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0025065D

產(chǎn)品說明：650V 25mΩ 97A 第 3 代分立式碳化硅 MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0060065K

產(chǎn)品說明：650V、60mΩ、37A 碳化硅 (SiC) MOSFET 晶體管，TO-247-4

封裝：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D20065H

產(chǎn)品說明：650 V, 20 A, TO-247-2 封裝, 第6代分立碳化硅肖特基二極管

封裝：TO-247-2
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D20065D

產(chǎn)品說明：650 V, 20 A, TO-247-3 封裝, 第6代分立碳化硅肖特基二極管

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0021120K

產(chǎn)品說明：1200V 21mΩ 100A 第 3 代分立 SiC MOSFET

封裝：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D40065D

產(chǎn)品說明：650 V, 40 A, TO-247-3 封裝, 第6代分立碳化硅肖特基二極管

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120D

產(chǎn)品說明：1200V 16mΩ 115A 第 3 代分立式碳化硅 (SiC) MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
C4D40120H

產(chǎn)品說明：1200V、40A 分立式碳化硅肖特基二極管，采用 TO-247-2 封裝

封裝：TO-247-2
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D40065G

產(chǎn)品說明：650 V, 40 A, TO-263-2 封裝, 第6代分立碳化硅肖特基二極管

封裝：TO-263-2
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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