商品名稱:ST25DV64KC-IE8C3
數據手冊:ST25DV64KC-IE8C3.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-UFDFN
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
ST25DV64KC-IE8C3 是一款動態(tài) NFC/RFID 標簽 IC,具有 64Kbit EEPROM、快速傳輸模式功能和優(yōu)化的 I2C。它有兩個接口:第一個接口是 I2C 串行鏈路,可由直流電源供電;第二個接口是射頻鏈路,當器件作為非接觸式存儲器由接收到的載波電磁波供電時激活。
產品特性
I2C 接口
- 兩線制 I2C 串行接口,支持 1MHz 協(xié)議
- 單電源電壓:1.8 V 至 5.5 V
- 多字節(jié)寫入編程(最多 256 字節(jié))
- 可配置的 I2C 從站地址
非接觸式接口
- 基于 ISO/IEC 15693
- 經 NFC 論壇認證的 NFC Forum 5 類標簽
- 支持所有 ISO/IEC 15693 調制、編碼、子載波模式和數據速率
- 自定義快速讀取訪問,速度高達 53 kbit/s
- 單塊和多塊讀?。ㄅc擴展命令相同)
- 單塊和多塊寫入(最多四個)(與擴展命令相同)
- 內部調諧電容:28.5 pF
內存
- 高達 64KB 的 EEPROM(取決于版本)
- I2C 接口訪問字節(jié)
- 射頻接口訪問 4 個字節(jié)的數據塊
快速傳輸模式
- I2C 和射頻接口之間的快速數據傳輸
- 半雙工 256 字節(jié)專用緩沖器
型號
品牌
封裝
數量
描述
Microchip
Moulds
1000
RFID 應答器 IC 100kHz ~ 150kHz ISO 11784,ISO 11785,ISO 15693 3.6V 模具
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數特性和緊密的參數分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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