商品名稱：ST25TV512C-AFF3
數(shù)據(jù)手冊：
ST25TV512C-AFF3.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：UFDFPN5
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
ST25TV512C-AFF3 是一款 NFC/RFID 標簽 IC，具有增強的 NDEF 功能、篡改檢測接口和保護客戶隱私的特定模式。
ST25TV512C-AFF3 NFC Type 5 / RFID 標簽 IC 具有高達 2.5 Kbits 的 EEPROM、產品識別和保護功能。
產品特性
符合 ISO/IEC 15693 標準
經(jīng) NFC 論壇認證的 NFC Forum Type 5 標簽
單塊讀寫、多塊讀取
內部調諧電容：23 pF
多達 2560 位（320 字節(jié)）的 EEPROM
可通過四個字節(jié)的塊訪問
射頻寫入時間：每區(qū)塊一般為 5 毫秒
數(shù)據(jù)保存 55°C 時 60 年
最低耐用性：10 萬次寫入循環(huán)
3 位數(shù)唯一分接碼
溫度范圍 - 40 至 85 °C
系統(tǒng)配置：訪問受 32 位密碼保護
密碼功能：覆蓋編碼、恢復、失敗嘗試計數(shù)器
篡改檢測功能，可記憶打開/重封事件
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Moulds
1000
RFID 應答器 IC 100kHz ~ 150kHz ISO 11784，ISO 11785，ISO 15693 3.6V 模具
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STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。此外，它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…
STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件，屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷，以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C，具有無尾關斷特性，飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V（典型值），并且參數(shù)分布緊…
STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件，其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā)，旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷，以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流…
STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，具有低損耗和短路功能，特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，因其低損耗和短路功能，STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (I…
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構，旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡，從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電…電話咨詢：86-755-83294757
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