STW52NK25Z - 采用 TO-247 封裝的 250V、45mOhm N 溝道 SuperMESH 功率 MOSFET 晶體管
型號:STW52NK25Z
封裝:TO-247-3
類型:MOSFET 晶體管
描述:N 溝道 250V 52A (Tc) 300W (Tc) 通孔 TO-247-3
產(chǎn)品概覽
STW52NK25Z - SuperMESH? 系列是通過對意法半導體成熟的條形 PowerMESH? 布局進行極致優(yōu)化而實現(xiàn)的。除了大幅降低導通電阻外,還特別注意確保為最苛刻的應(yīng)用提供非常出色的 dv/dt 能力。該系列是對意法半導體全系列高壓 MOSFET(包括革命性的 MDmesh? 產(chǎn)品)的補充。
產(chǎn)品屬性
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 250 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 52A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 45 毫歐 @ 26A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 150μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 160 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 4850 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-247-3
封裝/外殼 TO-247-3
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
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STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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