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采用 TO-247-3 封裝的 IMW65R040M2H  CoolSiC? MOSFET 650 V、40 mΩ G2 在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設(shè)計。第 2 代產(chǎn)品在硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級組合。

特征描述(IMW65R040M2H)

優(yōu)異的性能指標(biāo)（FOM）

同類最佳的 RDS(on)

高堅固性和整體質(zhì)量

靈活的驅(qū)動電壓范圍

支持單極驅(qū)動（VGSoff=0）

最佳的抗導(dǎo)通效應(yīng)

通過 .XT 改進(jìn)封裝互連

產(chǎn)品屬性(IMW65R040M2H)

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 5 ns

Id-連續(xù)漏極電流: 46 A

最大工作溫度: + 175 C

最小工作溫度: - 55 C

安裝風(fēng)格: Through Hole

通道數(shù)量: 1 Channel

封裝 / 箱體: TO-247-3

Pd-功率耗散: 172 W

產(chǎn)品類型: SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷: 28 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 49 mOhms

上升時間: 10 ns

系列: 650V G2

技術(shù): SiC

商標(biāo)名: CoolSiC

晶體管極性: N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 15 ns

典型接通延遲時間: 23 ns

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Vgs - 柵極-源極電壓: - 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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