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IMZA65R048M1H 650V CoolSiC? MOSFET 基于先進的溝槽半導體技術，并經(jīng)過優(yōu)化，在毫不折衷的情況下，在應用中實現(xiàn)最低損耗，并在運行中實現(xiàn)最佳可靠性。

英飛凌 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，可降低源極寄生電感對門極電路的影響，從而加快開關速度，提高效率。

IMZA65R048M1H規(guī)格

FET 類型： N 通道  

技術： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）：650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：39A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） ：64 毫歐 @ 20.1A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 6mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 33 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +23V，-5V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1118 pF @ 400 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 125W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝： PG-TO247-4-3  

封裝/外殼： TO-247-4  

基本產品編號： IMZA65

潛在應用

服務器

電信系統(tǒng)

SMPS

太陽能系統(tǒng)

儲能和電池信息

UPS

電動汽車充電

電機驅動器

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。