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供應(yīng) 安森美 NXH020P120MNF1PG 碳化硅MOSFET半橋模塊

供應(yīng) 安森美 NXH020P120MNF1PG 碳化硅MOSFET半橋模塊

來源:本站時間:2024-12-21瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司 供應(yīng) 安森美 NXH020P120MNF1PG 碳化硅MOSFET半橋模塊NXH020P120MNF1PG的產(chǎn)品說明NXH020P120MNF1PG 是碳化硅 MOSFET 模塊,在 F1 模塊中包含一個 20 歐姆 1200V 碳化硅 MOSFET 半橋和一個 NTC 熱敏電阻。NXH020P120MNF1PG 的規(guī)格技術(shù): 碳化硅 安…

深圳市明佳達電子有限公司 供應(yīng) 安森美 NXH020P120MNF1PG 碳化硅MOSFET半橋模塊


NXH020P120MNF1PG的產(chǎn)品說明

NXH020P120MNF1PG 是碳化硅 MOSFET 模塊,在 F1 模塊中包含一個 20 歐姆 1200V 碳化硅 MOSFET 半橋和一個 NTC 熱敏電阻。


NXH020P120MNF1PG 的規(guī)格

技術(shù): 碳化硅

安裝方式:壓裝 壓入式

封裝/外殼 模塊

晶體管極性 N 溝道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓:1.2 kV

Id - 持續(xù)漏極電流:51 A

Rds On - 漏極-源極電阻: 30 mOhms

Vgs - 柵極源極電壓:- 15 V,+ 25 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:1.8 V

最低工作溫度:- 40 C

最高工作溫度 + 150 C

Pd - 功率耗散:211 W

下降時間:8.4 毫微秒

上升時間:8.8 ns

典型延遲時間:8.4 ns

典型關(guān)斷延遲時間:105 ns

典型導(dǎo)通延遲時間:44 ns


NXH020P120MNF1PG 的特點

20 m/1200 V SiC MOSFET 半橋

熱敏電阻

帶預(yù)涂熱界面材料 (TIM) 和不帶預(yù)涂 TIM 的選項

壓配引腳


NXH020P120MNF1PG 的終端產(chǎn)品

電動汽車充電器

儲能系統(tǒng)

三相太陽能逆變器

不間斷電源


NXH020P120MNF1PG 的應(yīng)用

太陽能逆變器

不間斷電源

電動汽車充電站

工業(yè)電源


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