產(chǎn)品描述：LTC7893AUFDM是一款高性能、升壓DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓控制器，可驅(qū)動輸出電壓高達100V的所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級。LTC7893解決了傳統(tǒng)上使用GaN FETs時面臨的許多挑戰(zhàn)。與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)解決方案相比，LTC7893簡化了應(yīng)…
產(chǎn)品描述：
LTC7893AUFDM是一款高性能、升壓DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓控制器，可驅(qū)動輸出電壓高達100V的所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級。LTC7893解決了傳統(tǒng)上使用GaN FETs時面臨的許多挑戰(zhàn)。與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)解決方案相比，LTC7893簡化了應(yīng)用設(shè)計，同時不需要保護二極管和其他額外的外部元件。
LTC7893的柵極驅(qū)動電壓可以在4V至5.5V范圍內(nèi)精確調(diào)整，以優(yōu)化性能，并允許使用不同的GaN FET，甚至邏輯級MOSFET。當(dāng)從升壓轉(zhuǎn)換器調(diào)節(jié)器輸出偏置時，啟動后LTC7893可以采用低至1V的輸入電源工作。
特征：
針對 GaN FET 完全優(yōu)化的 GaN 驅(qū)動技術(shù)
輸出電壓高達 100V
寬 VIN 范圍：4V 至 60V，啟動后可在低至 1V 的電壓下工作
無需 Catch、Clamp 或 Bootstrap 二極管
內(nèi)部智能自舉開關(guān)防止高側(cè)驅(qū)動器電源過度充電
電阻可調(diào)死區(qū)時間
分離輸出柵極驅(qū)動器，用于可調(diào)節(jié)驅(qū)動器的導(dǎo)通和關(guān)斷強度
精確可調(diào)的驅(qū)動器電壓和 UVLO
低工作 IQ： 15μA
可編程頻率 （100kHz 至 3MHz）
可同步頻率 （100kHz 至 3MHz）
擴頻頻率調(diào)制
28 引腳 （4mm × 5mm）， 側(cè)面可濕， QFN 封裝
AEC-Q100 認證，適用于汽車應(yīng)用
應(yīng)用：
汽車和工業(yè)動力系統(tǒng)
軍用航空電子和醫(yī)療系統(tǒng)
電信電力系統(tǒng)
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