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Vishay為其第七代 1200 V FRED Pt? 超快恢復(fù)整流器平臺(tái)推出新品

來源：本站時(shí)間：2025-10-09瀏覽數(shù)：

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出四款采用eSMP系列SlimSMA HV（DO-221AC）封裝的新型器件---VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3，以及通過AEC-Q101認(rèn)證的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)充其第七代1200 V FRED Pt超快…

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出四款采用eSMP?系列SlimSMA HV（DO-221AC）封裝的新型器件---VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3，以及通過AEC-Q101認(rèn)證的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3，進(jìn)一步擴(kuò)充其第七代1200 V FRED Pt?超快恢復(fù)整流器平臺(tái)陣容。1 A和2 A整流器針對(duì)工業(yè)和汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，在同類器件中，不僅反向恢復(fù)電荷（Qrr）和正向壓降之間實(shí)現(xiàn)了權(quán)衡，而且結(jié)電容更低，恢復(fù)時(shí)間更短。

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日前發(fā)布的Vishay Semiconductors整流器包括VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3，以及通過AEC-Q101認(rèn)證的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3

為了降低開關(guān)損耗并提高效率，器件融合了低至 45 ns 的快速恢復(fù)時(shí)間，低至 105 nC 的Qrr（典型值），低至 1.45 V 的正向壓降和低至2.5 pF的結(jié)電容等特點(diǎn)。性能可靠的整流器采用2.6 mm x 5.2 mm小型封裝，非重復(fù)峰值浪涌電流高達(dá) 21 A，厚度低至0.95 mm，而類似封裝尺寸的SMA封裝器件為2.3 mm。器件最小爬電距離僅3.2 mm，模塑料相對(duì)漏電起痕指數(shù)（CTI）≥600（材料組別 I），在滿足IEC 60664-1高壓應(yīng)用要求的基礎(chǔ)上，有助于減少元件數(shù)量，降低物料清單（BOM）成本。

VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0112HM3、VS-E7JX0212-M3和VS-E7JX0212HM3可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續(xù)流二極管，也可用作自舉驅(qū)動(dòng)器功能的高頻整流器，同時(shí)可為最新快速開關(guān)IGBT和高壓Si / SiC MOSFET提供去飽和保護(hù)。

器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和工具、電動(dòng)汽車（EV）車載充電器和電機(jī)、發(fā)電和儲(chǔ)能系統(tǒng)，以及?uk轉(zhuǎn)換器和工業(yè)LED SEPIC電路。

整流器采用平面結(jié)構(gòu)，通過鉑摻雜壽命控制，在不影響性能的情況下確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性，同時(shí)經(jīng)過優(yōu)化的存儲(chǔ)電荷和低恢復(fù)電流可最大限度減少開關(guān)損耗并降低功耗。器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，潮濕敏感度達(dá)到 J-STD-020 標(biāo)準(zhǔn) 1 級(jí)，可在 +175 °C 高溫下工作。

器件規(guī)格表：

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