明佳達電子現(xiàn)貨供應 Vishay SIZF918DT-T1-GE3 雙N溝道30V MOSFET，這是一款集成了肖特基二極管的高效功率器件，專為 demanding 的電源管理應用而設計。產(chǎn)品信息制造商與型號：Vishay SIZF918DT-T1-GE3產(chǎn)品描述：帶肖特基二極管的雙N溝道30V MOSFET技術平臺：第四代Trench…
明佳達電子現(xiàn)貨供應 Vishay SIZF918DT-T1-GE3 雙N溝道30V MOSFET，這是一款集成了肖特基二極管的高效功率器件，專為 demanding 的電源管理應用而設計。
產(chǎn)品信息
制造商與型號：Vishay SIZF918DT-T1-GE3
產(chǎn)品描述：帶肖特基二極管的雙N溝道30V MOSFET
技術平臺：第四代TrenchFET? / SkyFET?
漏源電壓 (Vdss)：30V
連續(xù)漏極電流 (Id)：高達 60A (Tc)
導通電阻 (Rds(on))：最低 1.9mΩ @ 10A, 10V
封裝形式：8-PowerWDFN (PowerPAIR?)，緊湊型設計
核心特性：集成肖特基二極管、低導通電阻、高可靠性
主要應用：CPU核心供電、同步降壓轉換器、電信DC/DC轉換器
產(chǎn)品核心優(yōu)勢
SIZF918DT-T1-GE3 的優(yōu)勢在于其高度的集成化和卓越的電性能。它采用了Vishay先進的第四代TrenchFET?技術和SkyFET?設計，通過在單一芯片上集成兩個高性能MOSFET和一個肖特基二極管，為工程師提供了精簡而高效的解決方案。
這種集成設計最直接的好處是能顯著減少外部元件數(shù)量，簡化PCB布局，并節(jié)省寶貴的板級空間。其極低的導通電阻（最低1.9mΩ） 意味著在相同電流下，器件的導通損耗更低，從而有效提升系統(tǒng)整體效率，并減少發(fā)熱量。
此外，該產(chǎn)品100%通過了RG和UIS測試，確保了其在各種應力條件下的高可靠性和穩(wěn)定性，非常適合要求嚴苛的工業(yè)、通信和計算應用。
專業(yè)應用場景
SIZF918DT-T1-GE3 憑借其高性能，在多個關鍵領域發(fā)揮著重要作用：
計算設備核心供電：該器件是CPU核心電源和計算機/服務器外圍設備供電電路的理想選擇。其高電流能力和高效率，能夠滿足現(xiàn)代高性能處理器對電源的苛刻要求。
高效電源轉換：在同步降壓轉換器和電信設備的DC/DC轉換器中，其低導通電阻和集成的肖特基二極管能有效降低開關損耗和續(xù)流損耗，提升電源轉換效率。
負載點（POL）轉換：作為高效的POL（點負載）轉換器，它能為一板上的各個功能模塊提供穩(wěn)定、潔凈的電源，確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行。
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